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簡要描述：單模光纖：高NAS光纖具有優(yōu)異的抗彎曲損耗的堅固性，并且由于其改進(jìn)的光敏性而無需氫化，因此也常用于FBG刻寫。UV-Vis光纖具有純二氧化硅纖芯，以提高對日曬作用的抵抗力，在550nm以上工作的光纖具有Ge摻雜的纖芯。單模純硅芯光纖也可在NIR中工作，并在“惡劣環(huán)境"部分中列出。包層直徑為Ø80µm的光纖可減少占用空間，同時提高彎曲時的機械可靠性。纖維可以涂上標(biāo)準(zhǔn)的高溫丙烯酸酯或聚酰亞胺。
產(chǎn)品品牌：其他品牌廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時間：2025-11-03訪 問 量：14詳細(xì)介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
|---|
用于惡劣環(huán)境的緩沖涂層
單模光纖：我們提供工作波長在375 nm和1650 nm之間的單模光纖，NA在0.12和0.37之間。高NAS光纖具有優(yōu)異的抗彎曲損耗的堅固性，并且由于其改進(jìn)的光敏性而無需氫化，因此也常用于FBG刻寫。
UV-Vis光纖具有純二氧化硅纖芯，以提高對日曬作用的抵抗力，在550nm以上工作的光纖具有Ge摻雜的纖芯。單模純硅芯光纖也可在NIR中工作，并在“惡劣環(huán)境"部分中列出。
包層直徑為?80µm的光纖可減少占用空間，同時提高彎曲時的機械可靠性。纖維可以涂上標(biāo)準(zhǔn)的高溫丙烯酸酯或聚酰亞胺。
關(guān)鍵特征
l375至1650納米操作
l純二氧化硅芯（UV/VIS）或摻鍺（VIS/NIR）
l?125µm、?80µm或定制包層直徑
l丙烯酸酯、高溫丙烯酸酯或聚酰亞胺涂料
應(yīng)用覆蓋
lPigtailing
l傳感（DAS、DTS、DSS）
l光纖光柵刻字
l生物醫(yī)學(xué)
主要規(guī)格
產(chǎn)品名稱 | 規(guī)格 |
IXF-SM-375-125-010 | UV-Vis operation Solarization resistant, pure silica core 0.10 core NA |
IXF-SM-780-125-014 | 780 nm operation 0.14 core NA |
IXF-SM-1550-60-019 | 1550 nm operation 60 µm cladding diameter 0.19 Core NA |
IXF-SM-1550-80-016 | 1550 nm operation 80 µm cladding diameter 0.16 Core NA |
IXF-SM-1550-80-019 | 1550 nm operation 60 µm cladding diameter 0.19 Core NA |
IXF-SM-1550-80-022 | 1550 nm operation 80 µm cladding diameter 0.22 core NA |
IXF-SM-1550-125-012-PI | Low radiation level Polyimide coating |
IXF-SM-1550-125-014-PI | Low radiation level Polyimide coating |
IXF-SM-1550-80-019-PI | Low radiation level Polyimide coating |
IXF-SM-1550-80-024-PI | Low radiation level Polyimide coating |
IXF-SM-1550-125-028-PI | Low radiation level Polyimide coating |
IXF-SM-1550-125-014-HT | Low radiation level Polyimide coating |
IXF-PHO-CMS | Cladding Mode Shifted Up to 9 nm, <0.25 dB splice loss |
IXF-PHO-CMSP | Cladding Mode Shifted Up to 9 nm, <0.25 dB splice loss |
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